居逸科技 场效应管 JY4N5M TO-220F Banner
Product Detail

居逸科技 场效应管 JY4N5M TO-220F

采用先进平面 MOS 工艺,兼具高元胞密度、低导通电阻与优异重复雪崩耐受性能,开关效率高、抗冲击可靠性强,广泛适配各类功率开关电路。

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居逸科技 场效应管 JY4N5M TO-220F
场效应管

居逸科技 场效应管 JY4N5M TO-220F

采用先进平面 MOS 工艺,兼具高元胞密度、低导通电阻与优异重复雪崩耐受性能,开关效率高、抗冲击可靠性强,广泛适配各类功率开关电路。

产品型号

JY4N5M TO-220F

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可获取

内容状态

标准产品

更新时间

2026-07-21

产品介绍

采用先进平面 MOS 工艺,兼具高元胞密度、低导通电阻与优异重复雪崩耐受性能,开关效率高、抗冲击可靠性强,广泛适配各类功率开关电路。

技术参数

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