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围绕电机驱动与控制应用场景,提供覆盖不同功率与控制需求的芯片产品与方案支持。

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居逸科技 场效应管 JY4N5M TO-220F
场效应管

居逸科技 场效应管 JY4N5M TO-220F

采用先进平面 MOS 工艺,兼具高元胞密度、低导通电阻与优异重复雪崩耐受性能,开关效率高、抗冲击可靠性强,广泛适配各类功率开关电路。

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居逸科技 场效应管 JY8N5M TO-252
场效应管

居逸科技 场效应管 JY8N5M TO-252

该器件采用先进平面 MOS 工艺,兼具高元胞密度、低导通电阻与高重复雪崩耐量,开关效率高、抗冲击可靠性强,适用于各类功率开关及通用电路

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居逸科技 场效应管 JY2504NPM DFN5*6
场效应管

居逸科技 场效应管 JY2504NPM DFN5*6

N/P 沟道互补增强型功率 MOSFET,拥有超低导通电阻与栅电荷,开关性能出色,适配 H 桥电机驱动、逆变变换等电路。

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