JY01评估板
围绕电机驱动与控制应用场景,提供覆盖不同功率与控制需求的芯片产品与方案支持。
采用先进平面 MOS 工艺,兼具高元胞密度、低导通电阻与优异重复雪崩耐受性能,开关效率高、抗冲击可靠性强,广泛适配各类功率开关电路。
该器件采用先进平面 MOS 工艺,兼具高元胞密度、低导通电阻与高重复雪崩耐量,开关效率高、抗冲击可靠性强,适用于各类功率开关及通用电路
N/P 沟道互补增强型功率 MOSFET,拥有超低导通电阻与栅电荷,开关性能出色,适配 H 桥电机驱动、逆变变换等电路。