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场效应管

居逸科技 场效应管 JY2605M DFN5*6

本器件采用新一代沟槽工艺，兼顾高芯片单元密度、低导通电阻与低栅电荷，开关效率优异、稳定性强，广泛适配各类功率开关电路

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY12M SOP-8

集成 N/P 沟道增强型沟槽 MOSFET，凭借高密度晶圆工艺实现超低导通电阻；采用小型 SOP8 贴片封装，适配手机、笔记本等低压电池供电设备的电源管理高端开关方案，线路功率损耗更低

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY09M TO-252

采用新一代沟槽加工工艺，实现高元胞密度，在低栅电荷的同时降低导通电阻。凭借以上综合特性，该器件能效优异、稳定性强，可广泛应用于功率开关及各类其他电路场景。

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY09M TO-220

采用最新沟槽制程工艺，实现超高元胞密度，同时在低栅电荷条件下降低导通电阻。多重优势加持，使该器件具备极高能效与出色可靠性，适用于功率开关电路及各类通用电力场景

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栅极预驱芯片

居逸科技 栅极预驱芯片JY213L TSSOP-20

JY213L 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器，特别适合于 三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动

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栅极预驱芯片

居逸科技 栅极预驱芯片 JY213LH TSSOP-20

JY213LH 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的中压 250V 三相半桥栅极驱 动芯片

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栅极预驱芯片

居逸科技 栅极预驱芯片JY21L SOP-8

本产品为采用P 型衬底 P 型外延工艺制造的高压高速功率 MOS 管 / IGBT 驱动芯片。

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电机驱动芯片

居逸无刷电机驱动芯片JY03B SSOP-28

JY03B是一款高度集成的直流无刷无霍尔电机控制芯片

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电机驱动芯片

居逸无刷电机驱动芯片JY01 SOP-16

JY01系列用于有无霍尔电机驱动专用芯片

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