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场效应管

居逸科技 场效应管 JY4N5M TO-220F

采用先进平面 MOS 工艺，兼具高元胞密度、低导通电阻与优异重复雪崩耐受性能，开关效率高、抗冲击可靠性强，广泛适配各类功率开关电路。

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY8N5M TO-252

该器件采用先进平面 MOS 工艺，兼具高元胞密度、低导通电阻与高重复雪崩耐量，开关效率高、抗冲击可靠性强，适用于各类功率开关及通用电路

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY05M TO-252

产品采用‌最新沟槽工艺技术‌，实现高元胞密度，凭借高重复雪崩额定特性降低导通电阻

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY2504NPM DFN5*6

N/P 沟道互补增强型功率 MOSFET，拥有超低导通电阻与栅电荷，开关性能出色，适配 H 桥电机驱动、逆变变换等电路。

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY2605M DFN5*6

本器件采用新一代沟槽工艺，兼顾高芯片单元密度、低导通电阻与低栅电荷，开关效率优异、稳定性强，广泛适配各类功率开关电路

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY12M SOP-8

集成 N/P 沟道增强型沟槽 MOSFET，凭借高密度晶圆工艺实现超低导通电阻；采用小型 SOP8 贴片封装，适配手机、笔记本等低压电池供电设备的电源管理高端开关方案，线路功率损耗更低

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY09M TO-252

采用新一代沟槽加工工艺，实现高元胞密度，在低栅电荷的同时降低导通电阻。凭借以上综合特性，该器件能效优异、稳定性强，可广泛应用于功率开关及各类其他电路场景。

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY09M TO-220

采用最新沟槽制程工艺，实现超高元胞密度，同时在低栅电荷条件下降低导通电阻。多重优势加持，使该器件具备极高能效与出色可靠性，适用于功率开关电路及各类通用电力场景

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