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居逸科技 场效应管 JY8N5M TO-252

该器件采用先进平面 MOS 工艺，兼具高元胞密度、低导通电阻与高重复雪崩耐量，开关效率高、抗冲击可靠性强，适用于各类功率开关及通用电路

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场效应管

居逸科技 场效应管 JY8N5M TO-252

该器件采用先进平面 MOS 工艺，兼具高元胞密度、低导通电阻与高重复雪崩耐量，开关效率高、抗冲击可靠性强，适用于各类功率开关及通用电路

产品型号

JY8N5M TO-252

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内容状态

标准产品

更新时间

2026-07-21

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产品介绍

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该器件采用先进平面 MOS 工艺，兼具高元胞密度、低导通电阻与高重复雪崩耐量，开关效率高、抗冲击可靠性强，适用于各类功率开关及通用电路

技术参数

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