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居逸科技 栅极预驱芯片JY21L SOP-8
本产品为采用P 型衬底 P 型外延工艺制造的高压高速功率 MOS 管 / IGBT 驱动芯片。
产品介绍
产品介绍
本产品为采用P 型衬底 P 型外延工艺制造的高压高速功率 MOS 管 / IGBT 驱动芯片。其浮置通道驱动器可独立驱动两路耐压最高 150V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 器件。逻辑输入端兼容标准 CMOS、LSTTL 电平输出，最低支持 3.3V 逻辑电平。输出驱动级内置大脉冲电流缓冲电路，可最大限度抑制驱动管共态导通；芯片传输延迟参数经过匹配校准，便于高频工况下直接应用