场效应管
居逸科技 场效应管 JY09M TO-220
采用最新沟槽制程工艺,实现超高元胞密度,同时在低栅电荷条件下降低导通电阻。多重优势加持,使该器件具备极高能效与出色可靠性,适用于功率开关电路及各类通用电力场景
适配产品资料与技术参数
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围绕电机驱动与控制应用场景,提供覆盖不同功率与控制需求的芯片产品与方案支持。
采用最新沟槽制程工艺,实现超高元胞密度,同时在低栅电荷条件下降低导通电阻。多重优势加持,使该器件具备极高能效与出色可靠性,适用于功率开关电路及各类通用电力场景
JY213L 在同一颗芯片中同时集成了三个 90V 半桥栅极驱动器,特别适合于 三相电机应用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的栅极驱动